NTLJD3115PT1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-WDFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NTLJD3115PT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源FET類型:2 個 P 溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.3A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):100 毫歐 @ 2A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6.2nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):531pF @ 10V功率-最大值:710mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:6-WDFNNTLJD3115PT1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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