NTLJD3119CTBG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-WDFN
技術參數:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
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參數詳情:
制造商產品型號:NTLJD3119CTBG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:μCool?零件狀態:有源FET類型:N 和 P 溝道FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):2.6A,2.3A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):65 毫歐 @ 3.8A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):271pF @ 10V功率-最大值:710mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:6-WDFNNTLJD3119CTBG的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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