NTLJD3182FZTBG
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:6-WDFN(2x2)
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
(專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NTLJD3182FZTBG制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.2A(Ta)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 2A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 4.5VVgs(最大值):±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):450pF @ 10VFET功能:肖特基二極管(隔離式)功率耗散(最大值):710mW(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:6-WDFN(2x2)NTLJD3182FZTBG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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