NTMD6P02R2G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
技術參數：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
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參數詳情：
制造商產品型號：NTMD6P02R2G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：-零件狀態：有源FET類型：2 個 P 溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：4.8A不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 16V功率-最大值：750mW工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）NTMD6P02R2G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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