NTTFD9D0N06HLTWG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:12-PowerWQFN
技術參數:MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
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參數詳情:
制造商產品型號:NTTFD9D0N06HLTWG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:-零件狀態:有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:標準漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續漏極(Id):9A(Ta),38A(Tc)不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):9 毫歐 @ 10A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13.5nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):948pF @ 30V功率-最大值:1.7W(Ta),26W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:12-PowerWQFNNTTFD9D0N06HLTWG的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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