NVMS5P02R2G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-SOIC
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NVMS5P02R2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.95A(Ta)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):33 毫歐 @ 5.4A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5VVgs(最大值):-不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 16VFET功能:-功率耗散(最大值):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-SOICNVMS5P02R2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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