NXH35C120L2C2S1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)
技術參數:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
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參數詳情:
制造商產品型號:NXH35C120L2C2S1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態:有源IGBT類型:-配置:三相反相器,帶制動器電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):35A功率-最大值:20mW不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A電流-集電極截止(最大值):250μA不同?Vce時輸入電容(Cies):8.33nF @ 20V輸入:三相橋式整流器NTC熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)NXH35C120L2C2S1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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