PCISL9R18120W
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:-
技術(shù)參數(shù):IGBT PCISL9R18120W
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:PCISL9R18120W制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT PCISL9R18120W系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):-電流-集電極(Ic)(最大值):-電流-集電極脈沖(Icm):-不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):-功率-最大值:-開關(guān)能量:-輸入類型:-柵極電荷:-25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復(fù)時間(trr):-工作溫度:-安裝類型:-封裝:-PCISL9R18120W的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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