RFD12N06RLE
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I-PAK
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:RFD12N06RLE制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:UltraFET?零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):18A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):63 毫歐 @ 18A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10VVgs(最大值):±16V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):485pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):40W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:I-PAKRFD12N06RLE的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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