SGW13N60UFDTM
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術參數:IGBT 600V 13A 60W D2PAK
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參數詳情:
制造商產品型號:SGW13N60UFDTM制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 13A 60W D2PAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):13A電流-集電極脈沖(Icm):52A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,6.5A功率-最大值:60W開關能量:85μJ(開),95μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:25nC25°C時Td(開/關)值:20ns/70ns測試條件:300V,6.5A,50 歐姆,15V反向恢復時間(trr):55ns工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABSGW13N60UFDTM的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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