SMMJT350T3G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個,封裝:TO-261-4,TO-261AA
技術參數:BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
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參數詳情:
制造商產品型號:SMMJT350T3G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:BIP S0T223 PNP 0.5A 300V系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源晶體管類型:PNP電流-集電極(Ic)(最大值):500mA電壓-集射極擊穿(最大值):300V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):-電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V功率-最大值:2.75W頻率-躍遷:-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-261-4,TO-261AASMMJT350T3G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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